第三代半導(dǎo)體材料
發(fā)表時間 ：2022-11-16
來源：中訊證研
第三代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度達(dá)到2.0-6.0eV的寬禁帶半導(dǎo)體材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規(guī)模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，GAGR達(dá)到34%，從細(xì)分行業(yè)需求來看，新能源產(chǎn)業(yè)鏈和充電基礎(chǔ)設(shè)施將為增長最快領(lǐng)域。
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